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2SK316	文件：212.62 Kbytes Page：6 Pages	SI N CHANNEL JUCTION 2SK247 Si N-Channel Junction 1Page Wide-Band,Low-Noise Amplifier 2SK301 Si N-Channel Junction 3Page AF Amplifier, Switching 2SK316 Si N-Channel Junction 5Page Vide Camera First Stage Amplifier 文件：212.62 Kbytes 页数：6 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SK316	文件：300 bytes Page：1 Pages	SI N CHANNEL JUCTION	Panasonic 松下	Panasonic
2SK3160	文件：51.66 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features 1. Low on-resistance RDS= 130 mΩtyp. 2. High speed switching 3. 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：51.66 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3160	文件：88.2 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =130 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：88.2 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3160-E	文件：88.2 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =130 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：88.2 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3161	文件：94.7 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =90 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：94.7 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3161	文件：55.18 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS = 90 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：55.18 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3161-E	文件：94.7 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =90 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：94.7 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3161L	文件：55.18 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS = 90 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：55.18 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3161S	文件：55.18 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS = 90 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：55.18 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

技术参数

封装类型：
TO-220FM
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In SBD
VDSS (V) 最大值：
200
ID (A)：
10
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
190
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
170
Ciss (pF) 典型值：
1100
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
30
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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更多2SK316供应商更新时间2026-4-18 10:01:00

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