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2SK3161	文件：55.18 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS = 90 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：55.18 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3161	文件：94.7 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =90 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：94.7 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3161	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
2SK3161-E	文件：94.7 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =90 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：94.7 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3161L	文件：55.18 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS = 90 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：55.18 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3161S	文件：55.18 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS = 90 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：55.18 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3161STL-E	文件：94.7 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =90 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：94.7 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3161(L)_15	文件：114.79 Kbytes Page：11 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：114.79 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3161L	文件：327.04 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：327.04 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3161S	文件：400.9 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：400.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

封装类型：
LDPAK(L)/TO-262
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In SBD
VDSS (V) 最大值：
200
ID (A)：
15
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
125
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
115
Ciss (pF) 典型值：
1600
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
75
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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更多2SK3161供应商更新时间2025-11-19 10:02:00

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