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2SK3147L	文件：54.02 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS= 0.1 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：54.02 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3147L-E	文件：94.2 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS=0.1 Ωtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：94.2 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3147S	文件：54.02 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS= 0.1 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：54.02 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3147S	文件：45.08 Kbytes Page：1 Pages	Silicon N Cannel MOSFET Features Low on-resistance RDS=0.1 typ. High speed switching 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：45.08 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SK3147STL-E	文件：94.2 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS=0.1 Ωtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：94.2 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3148	文件：88.37 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS=45 mΩtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：88.37 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3148-E	文件：88.37 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS=45 mΩtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：88.37 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3149	文件：87.95 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =45 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：87.95 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3149	文件：52.43 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS = 45 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：52.43 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3149-E	文件：87.95 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =45 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：87.95 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
DPAK(L)-(2)/TO-251
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
100
ID (A)：
5
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
170
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
130
Ciss (pF) 典型值：
420
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
20
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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