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2SK3149	文件：52.43 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS = 45 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：52.43 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3149	文件：87.95 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =45 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：87.95 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3149	文件：333.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：333.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3149	文件：949.58 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：949.58 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK3149	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK3149-E	文件：87.95 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =45 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：87.95 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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