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2SJ661	文件：42.56 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDevice General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •ON-resistanceRDS(on)1=29.5mΩ(typ.) •InputcapacitanceCiss=4360pF(typ.) •4Vdrive	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
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P-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDevice

General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •ON-resistanceRDS(on)1=29.5mΩ(typ.) •InputcapacitanceCiss=4360pF(typ.) •4Vdrive

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO

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P-ChannelPowerMOSFET

Features •ON-resistanceRDS(on)1=29.5mΩ(typ.) •InputcapacitanceCiss=4360pF(typ.) •4Vdrive

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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SANYOSanyo

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更多2SJ661低压MOS管供应商更新时间2024-6-4 11:00:00