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2SJ599	文件：40.93 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The2SJ599isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=75mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=111mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–10A) •Lowinputcapacitance: Ciss=13	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ599	文件：50.9 Kbytes Page：2 Pages	MOS Field Effect Transistor MOSFieldEffectTransistor Features Lowon-resistance RDS(on)1=75mΩMAX.(VGS=-10V,ID=-10A) RDS(on)2=110mΩMAX.(VGS=-4.0V,ID=-10A) LowCiss:Ciss=1300pFTYP. Built-ingateprotectiondiode	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ599	文件：243.94 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ599isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=75mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=111mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–10A) •Lowi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ599-Z	文件：40.93 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The2SJ599isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=75mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=111mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–10A) •Lowinputcapacitance: Ciss=13	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ599-Z	文件：243.94 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ599isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=75mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=111mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–10A) •Lowi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ599_15	文件：244.55 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ599-Z	文件：978.97 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ599-Z_15	文件：978.97 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ599(0)-Z-E1-AZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：TRANSISTOR	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
2SJ599(0)-Z-E2-AZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：TRANSISTOR	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

详细参数

型号：
2SJ599
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
Pch -60V -12A 130m@10V TO251
功能描述：
Pch -60V -12A 130m@10V TO251 Bulk
功能描述：
Pch -60V -12A 130m@10V TO251 Cut Tape
制造商：
Renesas
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-251

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市汇莱威科技有限公司	2SJ599	VB	2024	TO-251	13500	16余年资质绝对原盒原盘代理渠道更多数量	询价
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更多2SJ599供应商更新时间2025-5-23 17:06:00

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