2SJ599中文资料PDF规格书
2SJ599规格书详情
MOS Field Effect Transistor
Features
Low on-resistance
RDS(on)1=75mΩ MAX. (VGS=-10 V, ID=-10A)
RDS(on)2= 110mΩ MAX. (VGS=-4.0V,ID=-10 A)
Low Ciss:Ciss = 1300 pF TYP.
Built-in gate protection diode
产品属性
- 产品编号：
2SJ599(0)-Z-E2-AZ
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
20A（Tc）
- 描述：
TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
2019 |
TO-252-2 |
55000 |
原装正品现货假一赔十 |
询价 | ||
NEC |
21+ |
TO-252 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
TO252 |
3000 |
强调现货,随时查询 |
询价 | ||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO251 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
R |
23+ |
TO-251 |
35400 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
询价 | ||
HITACHI |
08PB |
60000 |
询价 | ||||
NEC |
2023+ |
TO-252 |
16800 |
芯为只有原装,公司现货 |
询价 | ||
VB |
TO-251 |
608900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
询价 | |||
NEC/Renesas Electronics Americ |
21+ |
TO-252 |
1102 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
R |
23+ |
TO-251 |
10000 |
公司只做原装正品 |
询价 |
