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2SD2118_09	文件：185.03 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) transistor (strobe flash) 文件：185.03 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2118TLQ	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：159.27 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2118TLR	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：159.27 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2118	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：159.27 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2118	文件：109.28 Kbytes Page：5 Pages	Low VCE(sat) transistor (strobe flash) 文件：109.28 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2118	文件：106.88 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors 文件：106.88 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL

详细参数

型号：
2SD2118_09
制造商：
ROHM
制造商全称：
Rohm
功能描述：
Low VCE(sat) transistor(strobe flash)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市芯连胜科技有限公司	2SD211880/G	长电	2016	TO-251	2780		询价
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更多2SD2118_09供应商更新时间2026-10-27 10:02:00

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