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2SD2118TLQ分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2SD2118TLQ
厂商型号

2SD2118TLQ

参数属性

2SD2118TLQ 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 20V 5A CPT3

功能描述

Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

159.27 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

ROHM

中文名称

罗姆

网址

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更新时间

2025-8-6 20:00:00

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2SD2118TLQ规格书详情

特性 Features

1) Low VCE(sat).

VCE(sat) = 0.25V (Typ.)

(IC / IB = 4A / 0.1A)

2) Excellent DC current gain charac teristics.

3) Complements the

2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436.

Structure

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

产品属性

  • 产品编号:

    2SD2118TLQ

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 100mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    CPT3

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 5A CPT3

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