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2SD2025	文件：121.86 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High DC current gain ·Low saturation voltage ·DARLINGTON ·Complement to type 2SB1344 APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier and power driver applications 文件：121.86 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD2027	文件：258.16 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) • Good Linearity of hFE • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2SB1346 APPLICATIONS • Designed for low frequency and general purpose amplifier applications. 文件：258.16 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2028	文件：38.62 Kbytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features ● With Zener diode (11±3V) between collector and base. ● Large current capacity. ● Low collector-to-emitter saturation voltage. 文件：38.62 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD2028	文件：83.51 Kbytes Page：3 Pages	Low-Frequency Power Amp Applications Low-Frequency Power Amp Applications 文件：83.51 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD2029	文件：54.83 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification) Silicon NPN triple diffusion planar type For high power amplification Complementary to 2SB1347 ■Features ● Satisfactory foward current transfer ratio hFE collector current IC characteristics ● Wide area of safe operation (ASO) ● High transition frequency fT ● Optimum f 文件：54.83 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD2029	文件：206.46 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PL package ·Complement to type 2SB1347 ·Wide area of safe operation ·High transition frequency APPLICATIONS ·Optimum for the output stage of a Hi-Fi audio amplifier applications 文件：206.46 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD2029	文件：158.54 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PL package ·Complement to type 2SB1347 ·Wide area of safe operation ·High transition frequency APPLICATIONS ·Optimum for the output stage of a Hi-Fi audio amplifier applications 文件：158.54 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2030	文件：30.85 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency high voltage amplifier 文件：30.85 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD2030	文件：153.79 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency high voltage amplifier 文件：153.79 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2031	文件：153.79 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency high voltage amplifier 文件：153.79 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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晶体管资料

型号：
2SD2031
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_视频输出（Vid）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
140MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF391,BF420A,BF422A,2SC2631A,2SC3467,2SC3478,2SC4218,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
A-39
vtest：
200
htest：
140000000
atest：
0.1
wtest：
0.4

技术参数

NPN/PNP：
NPN
VCEO (V)：
200
IC (A) @25 °C：
0.1
hFE min.：
60
hFE max.：
200
Pc (W)：
0.4
fT (GHz) typ.：
0.14
Package Type：
TO-92
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市旺财半导体有限公司	2SD2031	TOY	23+	TO	20000	正品原装货价格低	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SD2033	ROHM	24+	DIP-3	1000		询价
深圳市弘为电子有限公司	2SD2033	ROHM	24+	原厂封装	2500	原装现货假一罚十	询价
深圳市鹏和科技有限公司	2SD2033	ROHM	24+	DIP-3	5000	只做原装公司现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SD2033	ROHM/罗姆	23+	TO-126	900000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SD2033AT114E	Rohm Semiconductor	25+	HRT	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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深圳市金芯世纪电子有限公司	2SD2034		22+		100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
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更多2SD20供应商更新时间2026-1-17 10:31:00

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