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2SD1959	文件：267.73 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 650V (Min) • High Switching Speed • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. 文件：267.73 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1963	文件：50.12 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor Features Low saturation voltage. Excellent DC current gain characteristics. 文件：50.12 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1963	文件：60.27 Kbytes Page：3 Pages	Power transistor (50V, 3A) Features 1) Low saturation voltage, typically VCE(sat) = −0.45V (Max.) at IC/IB = −1.5A / −0.15A. 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SB1308. 文件：60.27 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1963	文件：61.48 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (-50V, -3A) Features 1) Low saturation voltage, typically VCE(sat) = −0.45V (Max.) at IC/IB = −1.5A / −0.15A. 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD1963. 文件：61.48 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1964	文件：55.4 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching) Silicon NPN epitaxial planar type For power switching ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE • Large collector current IC • Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw. 文件：55.4 Kbytes 页数：3 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SD1966	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	丝印：C7；Package：TO-220；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1967	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	丝印：C7；Package：TO-220FP；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1970	文件：32.04 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：32.04 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1974	文件：34.87 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：34.87 Kbytes 页数：7 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1974	文件：161.87 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：161.87 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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晶体管资料

型号：
2SD1939
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1319,2SD1579,2SD1659,2SD1854,2SD2213,
最大耗散功率：
0.75W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
A-20
vtest：
150
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
0.75

技术参数

hFE min.：
2000
hFE max.：
30000
Pc (W)：
750
Package Type：
TO-92
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SD1939	ROHM	24+		60000		询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SD1939-L-AZ/JM	RENESAS/瑞萨	23+	TO-92	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SD1939-M-AZ	UTG	23+	TO-92L	17999998	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	2SD1939-L-AZ/JM	RENESAS/瑞萨	24+	NA/	3000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市博中泰实业有限公司	2SD1939-L-AZ/JM	RENESAS/瑞萨	24+	TO-92	60000	全新原装现货	询价
深圳市创新迹电子有限公司	2SD1939-L-AZ/JM	RENESAS/瑞萨	22+	TO-92	20000	只做原装	询价
深圳市赛特兴科技有限公司	2SD194	ST	23+	CAN to-39	16900	正规渠道,只有原装!	询价
深圳市腾亿芯科技有限公司	2SD194	ST	25+	CAN to-39	16900	原装，请咨询	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	2SD194	ST	2511	CAN to-39	16900	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
深圳市中飞凌科技有限公司	2SD194	ST	26+	CAN to-39	60000	只有原装可配单	询价

更多2SD19供应商更新时间2025-12-19 10:50:00

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