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2SD1898	文件：163.94 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1898	文件：317.24 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighBreakdownVoltageandCurrent ●ExcellentDCCurrentGainLinearity ●Complementthe2SB1260 ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SD1898	文件：120.9 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(80V,1A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1898	文件：51.14 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistor Features ●HighVCEO,VCEO=80V. ●HighIC,IC=1A(DC). ●GoodhFElinearity. ●LowVCE(sat).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1898	文件：96.42 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransistor(80V,1A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1898	文件：177.89 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(80V,1A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1898	文件：345.29 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor Description The2SD1898isdesignedforswitchingapplications.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD1898	文件：123 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTOR FEATURES HighVCEO=80V HighIC=1A(DC) GoodhFElinearity. LowVCE(SAT) *Complementsthe2SB1260.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1898	文件：112.11 Kbytes Page：4 Pages	EpitaxialPlanarNPNTransistors EpitaxialPlanarNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SD1898	文件：89.47 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(80V,1A) ●Features 1)HighVCEO,VCEO=80V 2)HighIC,IC=1A(DC) 3)GoodhFElinearity. 4)LowVCE(sat). 5)Complementsthe2SB1260/2SB1241/2SB1181.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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