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2SD1918TLQ	文件：110.7 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (160V , 1.5A) Features 1)Highbreakdownvoltage.(BVCEO=160V) 2)Lowcollectoroutputcapacitance.(Typ.20pFatVCB=10V) 3)Hightransitionfrequency.(fT=80MHZ) 4)Complementsthe2SB1275.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1918TLQ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 1.5A CPT3	Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
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2SD1918	文件：40.2 Kbytes Page：1 Pages	SiliconNPNEpitaxial ■Features ●Highbreakdownvoltage. ●Lowcollectoroutputcapacitance. ●Hightransitionfrequency ●Complementaryto2SB1275	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1918	文件：170.63 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(160V,1.5A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1918	文件：48.13 Kbytes Page：1 Pages	POWERTRANSISTOR EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1918	文件：138.4 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(160V,1.5A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1918	文件：230.73 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1918-Q	文件：1.10282 Mbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1918-R	文件：1.10282 Mbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

产品属性

产品编号：
2SD1918TLQ
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
80MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
CPT3
描述：
TRANS NPN 160V 1.5A CPT3

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