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2SD1918TLQ

Power Transistor (160V , 1.5A)

Features 1) High breakdown voltage.(BVCEO=160V) 2) Low collector output capacitance. (Typ. 20pF at VCB=10V) 3) High transition frequency.(fT=80MHZ) 4) Complements the 2SB1275.

文件:110.7 Kbytes 页数:3 Pages

ROHM

罗姆

2SD1918TLQ

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 160V 1.5A CPT3

ROHM

罗姆

2SD1918

Silicon NPN Epitaxial

■ Features ● High breakdown voltage. ● Low collector output capacitance. ● High transition frequency ● Complementary to 2SB1275

文件:40.2 Kbytes 页数:1 Pages

KEXIN

科信电子

2SD1918

Power Transistor (160V , 1.5A)

文件:170.63 Kbytes 页数:3 Pages

ROHM

罗姆

2SD1918

POWER TRANSISTOR

Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE)

文件:48.13 Kbytes 页数:1 Pages

ROHM

罗姆

产品属性

  • 产品编号:

    2SD1918TLQ

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    80MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    CPT3

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 1.5A CPT3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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