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2SD1918	文件：138.4 Kbytes Page：4 Pages	丝印：D1918；Package：SOT-428；Power Transistor (160V , 1.5A) 文件：138.4 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1918	文件：48.13 Kbytes Page：1 Pages	丝印：D1918；Package：SOT-428；POWER TRANSISTOR Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：48.13 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1918	文件：40.2 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial ■ Features ● High breakdown voltage. ● Low collector output capacitance. ● High transition frequency ● Complementary to 2SB1275 文件：40.2 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1918	文件：170.63 Kbytes Page：3 Pages	丝印：D1918；Package：SOT-428；Power Transistor (160V , 1.5A) 文件：170.63 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1918	文件：149.66 Kbytes Page：3 Pages	丝印：D1918；Package：SOT-428；Power Transistor (160V , 1.5A) 文件：149.66 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1918	文件：230.73 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：230.73 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1918	文件：300 bytes Page：1 Pages	Driver Transistor 根据市场需求，提供从超小型到功率型的封装，以节能高可靠性为开发理念的多种产品线。・启动用表面安装型三极管;	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1918TLQ	文件：110.7 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (160V , 1.5A) Features 1) High breakdown voltage.(BVCEO=160V) 2) Low collector output capacitance. (Typ. 20pF at VCB=10V) 3) High transition frequency.(fT=80MHZ) 4) Complements the 2SB1275. 文件：110.7 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1918_09	文件：170.63 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (160V , 1.5A) 文件：170.63 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1918_10	文件：149.66 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (160V , 1.5A) 文件：149.66 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Package Code：
TO-252(DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.5x9.5(t=2.3)
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
160.0
Collector current(continuous) IC1[A]：
1.5
Collector Power dissipation PC[W]：
1
hFE：
120 to 270
hFE (Min.)：
120
hFE (Max.)：
270
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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