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2SD1918	文件：40.2 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial ■Features ●Highbreakdownvoltage. ●Lowcollectoroutputcapacitance. ●Hightransitionfrequency ●Complementaryto2SB1275	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1918	文件：138.4 Kbytes Page：4 Pages	Marking：D1918；Package：SOT-428；Power Transistor (160V , 1.5A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1918	文件：48.13 Kbytes Page：1 Pages	Marking：D1918；Package：SOT-428；POWER TRANSISTOR EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1918	文件：170.63 Kbytes Page：3 Pages	Marking：D1918；Package：SOT-428；Power Transistor (160V , 1.5A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1918	文件：149.66 Kbytes Page：3 Pages	Marking：D1918；Package：SOT-428；Power Transistor (160V , 1.5A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1918	文件：230.73 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1918TLQ	文件：110.7 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (160V , 1.5A) Features 1)Highbreakdownvoltage.(BVCEO=160V) 2)Lowcollectoroutputcapacitance.(Typ.20pFatVCB=10V) 3)Hightransitionfrequency.(fT=80MHZ) 4)Complementsthe2SB1275.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1918_09	文件：170.63 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (160V , 1.5A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1918_10	文件：149.66 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (160V , 1.5A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1918_15	文件：1.10282 Mbytes Page：2 Pages	NPN Transistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

详细参数

型号：
2SD1918
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 160V 1.5A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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