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2SD1918TLQ分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SD1918TLQ |
| 参数属性 | 2SD1918TLQ 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 160V 1.5A CPT3 |
| 功能描述 | Power Transistor (160V , 1.5A) |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
110.7 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | Rohm |
| 企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
| 中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
| 人工找货 | 2SD1918TLQ价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SD1918TLQ规格书详情
特性 Features
1) High breakdown voltage.(BVCEO=160V)
2) Low collector output capacitance. (Typ. 20pF at VCB=10V)
3) High transition frequency.(fT=80MHZ)
4) Complements the 2SB1275.
产品属性
- 产品编号：
2SD1918TLQ
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 100mA，5V
- 频率 - 跃迁：
80MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
CPT3
- 描述：
TRANS NPN 160V 1.5A CPT3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM(罗姆) |
24+ |
CPT3 |
7350 |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
24+ |
NA/ |
19200 |
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ROHM/罗姆 |
25+ |
TO-252 |
32000 |
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ROHM/罗姆 |
22+ |
SOT252 |
100000 |
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ROHM |
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NA |
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ROHM/罗姆 |
24+ |
TO252 |
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ROHM/罗姆 |
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ROHM/罗姆 |
25+ |
TO252 |
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ROHM |
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Rohm(罗姆) |
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