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2SD1899-L	文件：661.39 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/Rohs Compliant (PSuffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Capable of 1.0Watts of Power Dissipation. • Collector-current 3.0A • Collector-base Voltage 60V • Operating and storage juncti 文件：661.39 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2SD1899-L	文件：300 bytes Page：1 Pages	中等功率双极型晶体管	MCC 美微科	MCC
2SD1899-L-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3A DPAK	MCC	MCC
2SD1899-M	文件：661.39 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/Rohs Compliant (PSuffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Capable of 1.0Watts of Power Dissipation. • Collector-current 3.0A • Collector-base Voltage 60V • Operating and storage juncti 文件：661.39 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2SD1899-Z	文件：1.35878 Mbytes Page：7 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SD1899-Z is designed for Audio Frequency Amplifier and Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • High hFE: hFE = 100 to 400 • Low VCE(sat): VCE(sat) ≤ 0.25 V 文件：1.35878 Mbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1899-Z	文件：43.58 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● Low VCE(sat). ● High hFE. 文件：43.58 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

Product Polarity：
NPN
SMD/ThroHole：
SMD
VCEO (V)：
60
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
7.0
IC (A)：
3.0
PC (W)：
1.0
HFE：
160-320
@IC (mA)：
600
@VCE (V)：
2.0
ICBO：
10 µA
IEBO：
10 µA
VCE(sat) (V)：
0.25
VBE(sat) (V)：
1.2
FT (MHz)：
120
Package Qty：
Tube
FIT：
48; Tj=100℃

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更多2SD1899-L供应商更新时间2025-10-8 17:02:00

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