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2SD1912

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 60V(Min) ·Wide Area of Safe Operation ·Low Collector Saturation Voltage APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifier applications.

文件:256.589 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SD1912

LOW FREQUENCY POWER AMP APPLICATIONS

文件:701.94 Kbytes 页数:8 Pages

SANYO

三洋

2SD1912

LOW FREQUENCY POWER AMP APPLICATIONS

ONSEMI

安森美半导体

2SD1918TLQ

TO-252

2SD2114KT146V

SMT3HP

ROHM/罗姆

上传:深圳广友电子有限公司

ROHM/罗姆

晶体管资料

  • 型号:

    2SD1912

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    100MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD241A,BD535,BD539A,2SC3252,2SD288,2SD289,2SD856,2SD880,2SD1505,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    60

  • htest:

    100000000

  • atest:

    3

  • wtest:

    30

详细参数

  • 型号:

    2SD1912

  • 制造商:

    Distributed By MCM

  • 功能描述:

    SUB ONLY SANYO TRANS. TO-220AB 60V 3A 30W BCE

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-220
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