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2SD1580	文件：44.29 Kbytes Page：1 Pages	Triple Diffused Planar NPN Silicon Transistor Features 1) Low collector saturation voltage : VCE(sat)= 0.3V(Typ.)(IC/IB= 4A/0.4A) 2) Excellent current response of DC current gain (hFE). 3) High collector power dissipation: Pc=40W (Tc=25°C) 4) Wide ASO. 5) Easy packaging because of its mold type design 文件：44.29 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1580	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	丝印：C7；Package：TO-220；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1580	文件：256.93 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.0V(Max.)@ IC= 4A • High Collector Power Dissipation • Good Linearity of hFE • Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：256.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1580	文件：300 bytes Page：1 Pages	Triple Diffused Planar NPN Silicon Transistor	ROHM 罗姆	ROHM

型号：
2SD1580
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD243C,BD543C,BD801,2SC2234,2SD550,2SD843,2SD1137,2SD1271A,2SD1237,3DK206B,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-44
vtest：
100
htest：
5000000
atest：
7
wtest：
40

更多2SD1580供应商更新时间2026-1-17 10:02:00