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2SD1517	文件：254.36 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=0.5V(Max)@IC=2A •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) •GoodLinearityofhFE •HighSpeedSwitching APPLICATIONS •Designedforpoweramplifier,powerswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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文件：254.36 Kbytes

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isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=0.5V(Max)@IC=2A •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) •GoodLinearityofhFE •HighSpeedSwitching APPLICATIONS •Designedforpoweramplifier,powerswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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更多2SD1517供应商更新时间2025-7-29 16:00:00

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