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2SD1517	文件：254.36 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC= 2A • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V (Min) • Good Linearity of hFE • High Speed Switching APPLICATIONS • Designed for power amplifier,power switching applications. 文件：254.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1581-AZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SD1616AG-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92	UTC/友顺上传：深圳广友电子有限公司	UTC/友顺
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2SD1624G-S	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-89	UTC/友顺上传：深圳广友电子有限公司	UTC/友顺

晶体管资料

型号：
2SD1517
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
130V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
25MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC2528,2SD1236,2SD1528,3DA25D,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
130
htest：
25000000
atest：
2
wtest：
25

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD1517供应商更新时间2026-1-17 16:01:00

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