2SD1527技术资料参数批发采购日立HITACHI-114ic电子网

首页 >2SD152>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
2SD1520	文件：373.66 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUM SPEED POWER AMPLIFIER SILICON NPN EPITAXIAL MEDIUM SPEED POWER AMPLIFIER 文件：373.66 Kbytes 页数：2 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1520L	文件：373.66 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUM SPEED POWER AMPLIFIER SILICON NPN EPITAXIAL MEDIUM SPEED POWER AMPLIFIER 文件：373.66 Kbytes 页数：2 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1520S	文件：373.66 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUM SPEED POWER AMPLIFIER SILICON NPN EPITAXIAL MEDIUM SPEED POWER AMPLIFIER 文件：373.66 Kbytes 页数：2 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1521	文件：34.9 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：34.9 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1525	文件：167.88 Kbytes Page：3 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) High Current Switching Applications • High collector current: IC= 30 A • High DC current gain: hFE= 1000 (min) (VCE= 5 V, IC= 20 A) • Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor. 文件：167.88 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1525	文件：242.33 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·High DC Current Gain : hFE = 1000(Min.)@ IC= 20A ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 100V(Min.) APPLICATIONS ·Designed for high current switching applications. 文件：242.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1527	文件：148.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application High voltage power amplifier 文件：148.21 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1527	文件：55.8 Kbytes Page：2 Pages	Power Bipolar Transistors 文件：55.8 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD1527	文件：32.91 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application High voltage power amplifier 文件：32.91 Kbytes 页数：7 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1528	文件：257.49 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC= 2A ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V (Min) ·Good Linearity of hFE ·High Speed Switching APPLICATIONS ·Designed for power amplifier,power switching applications. 文件：257.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SD1527
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
1KV
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BUV36A,BUX85,2SC3178,2SC3184,2SC3531,2SC4152,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
图片代号：
B-44
vtest：
1000
htest：
5000000
atest：
0.5
wtest：
25

技术参数

VCEO (V)：
1000
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SD1527		24+	TO-220	10000	全新	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	2SD1527	HIT	25+23+	TO-220	36707	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	2SD1527	HIT	24+	TO-220	35200	一级代理分销/放心采购	询价
深圳市蓝山航业科技有限公司	2SD1527	hit	25+		500000	行业低价,代理渠道	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SD1527	HITACHI	25+	TO-TO-220	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
上海金庆电子技术有限公司	2SD1527	HITACHI	00+	TO-220	1497	全新发货1-2天	询价
上海鑫科润电子科技有限公司	2SD1527-HS	HIT/RENESAS	03+	TO220	50	原装现货海量库存欢迎咨询	询价
深圳市宇创芯科技有限公司	2SD1527-HS	HIT/RENESAS	24+	TO220	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SD1527其他被动元件	HITACHI/日立	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	2SD1527-E		24+	N/A	47000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价

更多2SD152供应商更新时间2026-3-9 16:00:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号