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2SD1528	文件：257.49 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC= 2A ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V (Min) ·Good Linearity of hFE ·High Speed Switching APPLICATIONS ·Designed for power amplifier,power switching applications. 文件：257.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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