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2SD1590	文件：252.26 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Saturation Voltage-: VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A · High DC Current Gain : hFE= 2000(Min) @ IC= 3A · Complement to Type 2SB1099 APPLICATIONS · Designed for audio frequency power amplifier and low speed switching industrial use. 文件：252.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1591	文件：113.04 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • DARLINGTON • Complement to type 2SB1100 APPLICATIONS • Low frequency power amplification • Low speed power switching applications 文件：113.04 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SD1591	文件：132.75 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • DARLINGTON • Complement to type 2SB1100 APPLICATIONS • Low frequency power amplification • Low speed power switching applications 文件：132.75 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1591	文件：106.12 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • DARLINGTON • Complement to type 2SB1100 APPLICATIONS • Low frequency power amplification • Low speed power switching applications 文件：106.12 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1592	文件：89.09 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-VOLTAGE LOW-SPEED SWITCHING NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-VOLTAGE LOW-SPEED SWITCHING FEATURES • High DC current gain due to Darlington connection • Low collector saturation • Reverse deterrence type • Ideal for use in devices such as pulse motor drivers and relay drivers o 文件：89.09 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1592	文件：240.59 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON POWER TRANSISTOR NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-VOLTAGE LOW-SPEED SWITCHING FEATURES • High DC current gain due to Darlington connection • Low collector saturation • Reverse deterrence type • Ideal for use in devices such as pulse motor drivers and relay drivers of 文件：240.59 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1592	文件：51.91 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage, Low Speed Switching Industrial Use NPN Silicon Triple Diffused Darlington Transistor High Voltage, Low Speed Switching Industrial Use 文件：51.91 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD1592	文件：263.74 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 300V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 400(Min) @ IC= 2A, VCE= 2V • Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat) = 1.5V(Max)@ IC= 2A • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliab 文件：263.74 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1594	文件：123.56 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package APPLICATIONS • Low frequency power amplifier • High speed switching industrial use 文件：123.56 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SD1594	文件：151.22 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • Low frequency power amplifier • High speed switching industrial use 文件：151.22 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SD1592
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
500V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1409,2SD1446,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
β=1000
图片代号：
B-10
vtest：
500
htest：
999900
atest：
5
wtest：
30

技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
500
VCEO (V)：
300
Vebo (V)：
10
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
5
VCE(sat) (V) max.：
1.5
hFE min.：
400
hFE max.：
3000
Pc (W)：
30
Package Type：
MP-45
Production Status：
EOL
Downloadable：
SPICE

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