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2SD1535

Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For high power amplification)

Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington For high power amplification ■ Features ● Extremely satisfactory linearity of the forward current transfer ratio hFE ● High collector to base voltage VCBO ● Wide area of safe operation (ASO) ● Full-pack package which can be installed to the

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PANASONIC

松下

2SD1535

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220Fa package • Wide area of safe operation • High breakdown voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For high power amplification

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ISC

无锡固电

2SD1535

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220Fa package • Wide area of safe operation • High breakdown voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For high power amplification

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SAVANTIC

2SD1535

Silicon NPN Power Transistors

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SAVANTIC

2SD1535

Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification

Panasonic

松下

2SD1535

Package:TO-220-3 整包;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 400V 7A TO220F-A1

PANASONIC

松下

晶体管资料

  • 型号:

    2SD1535

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性质:

    绝缘 (Iso)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    500V

  • 最大电流允许值:

    7A

  • 最大工作频率:

    20MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BU810,

  • 最大耗散功率:

    50W

  • 放大倍数:

    β>500

  • 图片代号:

    B-45

  • vtest:

    500

  • htest:

    20000000

  • atest:

    7

  • wtest:

    50

产品属性

  • 产品编号:

    2SD1535

  • 制造商:

    Panasonic Electronic Components

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 70mA,7A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    500 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    20MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220F-A1

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 400V 7A TO220F-A1

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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