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2SD1410	文件：147.75 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 250V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- :V CE(sat)= 2.0V(Max) @IC= 4A • High DC Current Gain : hFE= 2000(Min) @ IC= 2A, VCE= 2V APPLICATIONS • Igniter applications • High voltage switching applications 文件：147.75 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1410A	文件：163.87 Kbytes Page：3 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (IGNITER, HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) High Voltage Switching Applications • High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 2 A) 文件：163.87 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1411	文件：184.19 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Low saturation voltage ·Complementary to 2SB1018 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·High current switching applications 文件：184.19 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1411	文件：167.85 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Low saturation voltage ·Complementary to 2SB1018 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·High current switching applications 文件：167.85 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1411A	文件：184.26 Kbytes Page：4 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) High-Current Switching Applications Power Amplifier Applications • Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) at IC = 4 A • Complementary to 2SB1018A 文件：184.26 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1412	文件：254.35 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.4V(Max)@ IC= 4A • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V (Min) • Complement to Type 2SB1019 APPLICATIONS • High current switching applications. • Power amplifier applications. 文件：254.35 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1413	文件：68.58 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High DC current gain ·Low saturation voltage ·Complement to type 2SB1023 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Power amplifier and switching applications ·Hammer drive,pulse motor drive applications 文件：68.58 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1413	文件：128.75 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High DC current gain ·Low saturation voltage ·Complement to type 2SB1023 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Power amplifier and switching applications ·Hammer drive,pulse motor drive applications 文件：128.75 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1414	文件：128.91 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High DC current gain ·Low saturation voltage ·Complement to type 2SB1024 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Power amplifier and switching applications ·Hammer drive,pulse motor drive applications 文件：128.91 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1414	文件：62.89 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE TRANSISTORS 800-900 MHz APPLICATIONS DESCRIPTION The SD1414 is a 12.5 V Class C epitaxial silicon NPN planar transistor designed for amplifier applications in the 806 - 866 MHz frequency range. Internal input matching and common base configuration assure optimum gain and efficiency across the entire frequency band. The SD1414 withst 文件：62.89 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
2SD1418
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
140MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC2881,2SC3646,2SD874A,2SD1007,2SD1420,2SD1421,2SD1898,3DK104E,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
120
htest：
140000000
atest：
1
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
80
IC @25 °C (A)：
1
VCE (sat) (V)：
1
hFE：
60-320
Pc (W)：
1
fT (Typical) (GHz)：
0.14
Cob (Typical) (pF)：
12

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更多2SD141供应商更新时间2026-3-9 14:00:00

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