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2SD1417	文件：38.64 Kbytes Page：1 Pages	2SD1417 Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：38.64 Kbytes 页数：1 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1417	文件：130.16 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High DC current gain ·Low saturation voltage ·Complement to type 2SB1022 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Power amplifier and switching applications ·Hammer drive,pulse motor drive applications 文件：130.16 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1418	文件：31.64 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SB1025 文件：31.64 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1418	文件：98.52 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SB1025 文件：98.52 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1418	文件：51.37 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial ■ Features ● Low frequency power amplifier ● Complementary to 2SB1025 文件：51.37 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1418DATR-E	文件：98.52 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SB1025 文件：98.52 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1418DBTR-E	文件：98.52 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SB1025 文件：98.52 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1418DCTR-E	文件：98.52 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SB1025 文件：98.52 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1419	文件：98.2 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SB1026 文件：98.2 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1419	文件：25.02 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SB1026 文件：25.02 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

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技术参数

VCEO (V)：
80
IC @25 °C (A)：
1
VCE (sat) (V)：
1
hFE：
60-320
Pc (W)：
1
fT (Typical) (GHz)：
0.14
Cob (Typical) (pF)：
12

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更多2SD141供应商更新时间2025-11-1 14:00:00

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