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2SD1412	文件：254.35 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=0.4V(Max)@IC=4A •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=50V(Min) •ComplementtoType2SB1019 APPLICATIONS •Highcurrentswitchingapplications. •Poweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1412A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for low frequency applications; Collector Current IC 7 A \nCollector-emitter voltage VCEO 50 V \n; Polarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\n	ToshibaToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	Toshiba
2SD1412A	文件：184.67 Kbytes Page：4 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SD1445A	文件：0 bytes Page：0 Pages	松下 TO-220F	松下相关企业：深圳市东来宝电子科技有限公司	松下
2SD1581-AZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS SOP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司相关企业：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

Product Category：
Power transistor for low frequency applications
Package name(Toshiba)：
TO-220NIS
Recommended Product 1：
TTC3710B(Almost same package but similar characteristics)

更多2SD1412供应商更新时间2025-7-31 10:20:00