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2SD1162	文件：36.23 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED DARLINGTON TRANSISTOR High Voltage, Low Speed Switching Industrial Use 文件：36.23 Kbytes 页数：1 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1162	文件：114.63 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 400(Min.)@IC= 2A • High Switching Speed • Low Collector Saturation Voltage APPLICATIONS • Designed for high voltage, low speed switching industrial use. 文件：114.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1162	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED DARLINGTON TRANSISTOR	Panasonic 松下	Panasonic
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2SD1581-AZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

晶体管资料

型号：
2SD1162
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
500V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BU912,BU922T,2SD798,2SD799,2SD1245,2SD1435,2SD1435K,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>400
图片代号：
B-10
vtest：
500
htest：
999900
atest：
5
wtest：
40

详细参数

型号：
2SD1162
制造商：
PANASONIC
制造商全称：
Panasonic Semiconductor
功能描述：
NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED DARLINGTON TRANSISTOR

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