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2SD1235	文件：102.73 Kbytes Page：3 Pages	30V/8A High-Speed Switching Applications 30V/8A High-Speed Switching Applications Features · Low collector-to-emitter saturation voltage : VCE(sat)=–0.5V (PNP), 0.4V (NPN) max. · Large current capacity. Applications · Large current switching of relay drivers, high-speed inverters, converters. 文件：102.73 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1235	文件：116.9 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：116.9 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1235	文件：158.98 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：158.98 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1235	文件：166.22 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：166.22 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1235	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 30V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS	NJS
2SD1235	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 30V/8A High-Speed Switching Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2SD1235
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3254,2SC3255,2SD866,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
120000000
atest：
8
wtest：
30

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.5@0.15mA@3AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
30V
Maximum DC Collector Current：
8A
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
1750mW
Maximum Transition Frequency：
120(Typ)MHz
Type：
NPN

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