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2SD1233	文件：217.08 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • High DC Current Gain : hFE= 1500(Min.)@ IC= 4A, VCE= 3V • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 100V(Min.) APPLICATIONS • Designed for motor drivers, printer hammer drivers, relay drivers, voltage regulator control applications. 文件：217.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1445A	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220F	松下上传：深圳市东来宝电子科技有限公司	松下
2SD1581-AZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
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晶体管资料

型号：
2SD1233
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
110V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BDV65C,BDX63C,BDX65C,2SD628,2SD628H,2SD922,2SD1230,
最大耗散功率：
70W
放大倍数：
β=4000
图片代号：
E-44
vtest：
110
htest：
999900
atest：
8
wtest：
70

详细参数

型号：
2SD1233
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 110V 8A 70W BEC

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