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2SD1220	文件：169.81 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • Complementary to 2SB905 文件：169.81 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1220	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1220	文件：295.09 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 150V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.2A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：295.09 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1220	文件：276.04 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 150V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.2A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：276.04 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1220	文件：39.39 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Transistor Features Power Amplifier Applications 文件：39.39 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1220	文件：155.6 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications 文件：155.6 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1220	文件：151.55 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 文件：151.55 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1220	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for low frequency applications Application Scope：TV vertical output / TV audio output (B)class\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 1.5 A \nCollector power dissipation PC 10 W \nCollector power dissipation PC 1 W \nCollector-emitter voltage VCEO 150 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SD1220-251	文件：295.09 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 150V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.2A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：295.09 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1220-252	文件：276.04 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 150V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.2A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：276.04 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SD1220
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
电视（TV）_低频或音频放大（LF）_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC4027,2SD1033,2SD1080,2SD1081,2SD1082,2SD1741,3DA431,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
150
htest：
100000000
atest：
1.5
wtest：
10

技术参数

Product Category：
Power transistor for low frequency applications
Package name(Toshiba)：
PW-Mold

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