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2SD1047	文件：190.98 Kbytes Page：10 Pages	型号：2SD1047；Package：TO-3P；Power supply Description ThedeviceisaNPNtransistormanufacturedusingnewBiT-LA(Bipolartransistorforlinearamplifier)technology.Theresultingtransistorshowsgoodgainlinearitybehaviour. Features ■HighbreakdownvoltageVCEO=140V ■Typicalft=20MHz ■Fullycharacterizedat125°C Ap	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

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2SD1047

文件：190.98 Kbytes

Page：10 Pages

型号：2SD1047；Package：TO-3P；Power supply

Description ThedeviceisaNPNtransistormanufacturedusingnewBiT-LA(Bipolartransistorforlinearamplifier)technology.Theresultingtransistorshowsgoodgainlinearitybehaviour. Features ■HighbreakdownvoltageVCEO=140V ■Typicalft=20MHz ■Fullycharacterizedat125°C Ap

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

详细参数

型号：
2SD1047
功能描述：
两极晶体管 - BJT IGBT & Power Bipolar
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD1047供应商更新时间2025-8-4 14:13:00

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