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2SD1047

型号:2SD1047;Package:TO-3P;Power supply

Description ThedeviceisaNPNtransistormanufacturedusingnewBiT-LA(Bipolartransistorforlinearamplifier)technology.Theresultingtransistorshowsgoodgainlinearitybehaviour. Features ■HighbreakdownvoltageVCEO=140V ■Typicalft=20MHz ■Fullycharacterizedat125°C Ap

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

详细参数

  • 型号:

    2SD1047

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT IGBT & Power Bipolar

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2SD1047供应商 更新时间2025-8-1 14:13:00