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2SC6026CT-GR,L3F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-101，SOT-883；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.1A CST3	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC6026MFV	文件：154.13 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Amplifier Applications General-Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) • Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE : hFE = 120 to 400 • Complementary to 2SA2154MFV 文件：154.13 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC6026MFV	文件：254.82 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) General-Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) • Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE : hFE = 120 to 400 • Complementary to 2SA2154MFV 文件：254.82 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC6026MFV	文件：154.13 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Amplifier Applications General-Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) • Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE : hFE = 120 to 400 • Complementary to 2SA2154MFV 文件：154.13 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
2SC6026CT-GR,L3F
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，6V
频率 - 跃迁：
60MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-101，SOT-883
供应商器件封装：
CST3
描述：
TRANS NPN 50V 0.1A CST3

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更多2SC6026CT-GR供应商更新时间2026-1-29 11:06:00

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