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2SC6076	文件：172.08 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) High-speedswitching:tstg=0.4μs(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC6076	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC6076(TE16L1,NV)	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

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功能描述

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2SC6076

文件：172.08 Kbytes

Page：5 Pages

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) High-speedswitching:tstg=0.4μs(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

2SC6076

文件：1.58274 Mbytes

Page：73 Pages

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

2SC6076(TE16L1,NV)

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD

Toshiba Semiconductor and Storage

详细参数

型号：
2SC6076
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Silicon NPN Epitaxial Type(PCT Process)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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