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2SC6061	文件：205.26 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type High-SpeedSwitchingApplications DC-DCConverterApplications •High-DCcurrentgain:hFE=120to300(IC=0.1A) •Low-collector-emittersaturation:VCE(sat)=0.14V(max) •High-speedswitching:tf=0.2μs(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC6061	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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2SC6061

文件：205.26 Kbytes

Page：5 Pages

Silicon NPN Epitaxial Type

High-SpeedSwitchingApplications DC-DCConverterApplications •High-DCcurrentgain:hFE=120to300(IC=0.1A) •Low-collector-emittersaturation:VCE(sat)=0.14V(max) •High-speedswitching:tf=0.2μs(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

2SC6061

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Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
2SC6061
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Silicon NPN Epitaxial Type

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