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2SC6075	文件：168.64 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type Power Amplifier Applications Power Switching Applications Low collector emitter saturation voltage : VCE (sat) = 0.5 V (max)（ IC = 1A） High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ) 文件：168.64 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC6075	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC6075	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type	Toshiba 东芝	Toshiba
2SC6082	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO220F	SANYO 三洋上传：深圳市启航讯科技有限公司	SANYO
2SC696A-E	文件：0 bytes Page：0 Pages	3L	PANSONIC 上传：深圳市旺财半导体有限公司	PANSONIC

详细参数

型号：
2SC6075
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Silicon NPN Epitaxial Type

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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