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2SC6097-E	文件：416.99 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor 60V, 3A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT process • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power dissipation Applications • DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter 文件：416.99 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC6097-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3A TP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC6097-TL-E	文件：416.99 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor 60V, 3A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT process • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power dissipation Applications • DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter 文件：416.99 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC6097	文件：294.26 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Large current capacitance ·Large current capacitance ·Low collector-to-emitter saturation voltage ·Fast switching speed APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：294.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC6097	文件：347.06 Kbytes Page：4 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Large current capacitance ·High-speed switching ·High allowable power dissipation ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：347.06 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC6097	文件：416.99 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor 60V, 3A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT process • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power dissipation Applications • DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter 文件：416.99 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
2SC6097-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
135mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
390MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
TP
描述：
TRANS NPN 60V 3A TP

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