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2SC6097	文件：46.21 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications High-Current Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT process. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • High allowable power dissipation. Applications • DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers 文件：46.21 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC6097	文件：347.06 Kbytes Page：4 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Large current capacitance ·High-speed switching ·High allowable power dissipation ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：347.06 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC6097	文件：294.26 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Large current capacitance ·Large current capacitance ·Low collector-to-emitter saturation voltage ·Fast switching speed APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：294.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC6097	文件：286.65 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Large current capacitance ·Large current capacitance ·Low collector-to-emitter saturation voltage ·Fast switching speed APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：286.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC6097	文件：416.99 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor 60V, 3A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT process • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power dissipation Applications • DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter 文件：416.99 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC6097	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管，60V，3A，低 VCE(sat)，NPN 单 TP/TP-FA 2SC6097 is a Bipolar Transistor, 60V, 3A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA for high current switching applications. • High current capacitance\n• Adoption of FBET, MBIT process\n• Low collector-to-emitter saturation voltage\n• High allowable power dissipation\n• High-speed switching;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC6097-251	文件：294.26 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Large current capacitance ·Large current capacitance ·Low collector-to-emitter saturation voltage ·Fast switching speed APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：294.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC6097-252	文件：286.65 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Large current capacitance ·Large current capacitance ·Low collector-to-emitter saturation voltage ·Fast switching speed APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：286.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC6097-E	文件：416.99 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor 60V, 3A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT process • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power dissipation Applications • DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter 文件：416.99 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC6097-TL-E	文件：416.99 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor 60V, 3A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT process • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power dissipation Applications • DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter 文件：416.99 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.15
IC Cont. (A)：
3
VCEO Min (V)：
60
VCBO (V)：
100
VEBO (V)：
6.5
VBE(sat) (V)：
0.84
hFE Min：
300
hFE Max：
600
fT Min (MHz)：
390
PTM Max (W)：
0.8
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

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