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2SC606	文件：51.18 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON TRANSISTOR VHF TV Tuner MICRODISK The 2SC605 and 2SC606 are specifically designed for VHF Mixer and VHF RF amplifier applications. The 2SC606 feature high power gain, low noise and excellent forward AGC characteristics in MICRODISK package designed to realize easy and economical mo 文件：51.18 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC6060	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC6061	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC6061	文件：205.26 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications • High-DC current gain: hFE = 120 to 300 (IC = 0.1 A) • Low-collector-emitter saturation: VCE (sat) = 0.14 V (max) • High-speed switching: tf = 0.2 μs (typ.) 文件：205.26 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC6062	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC6064	文件：42.8 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications High-Current Switching Applications Features • Adoption of MBIT process. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. Applications • Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment. 文件：42.8 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC6065	文件：42.73 Kbytes Page：4 Pages	NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications Features • High breakdown voltage. • High-speed switching. • Wide ASO. • Adoption of MBIT process. 文件：42.73 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC6061	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for high-speed switching applications Application Scope：DC/DC converters\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 1.0 A \nCollector Current ICP 2.0 A \nCollector power dissipation (mounted on FR4 board (Cu 645mm**2, glass-epoxy t=1.6mm)) PC 1 W \nCollector-Base Voltage VCBO 180 V \nCollector-emitter voltage VCEO 120 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SC6064	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC6065	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Switching Regulator Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2SC606
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
微型（Min）_甚高频（VHF）_前置放大（V）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
最大工作频率：
530MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF198,BF225,BF310,BF314,BF367,BF505,BF596,3DG79C,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
G-22
vtest：
0
htest：
530000000
atest：
0
wtest：
0

技术参数

Polarity：
NPN
Features：
Low Satulation Voltage
VCEO(Max)(V)：
120
IC(Max)(A)：
1.0
hFE(Min)：
120
hFE(Max)：
300
VCE(sat)(Max)(V)：
0.14
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
TSM
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.8 x 0.7

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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