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2SC5823-252	文件：276.3 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：276.3 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5826	文件：271.56 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 120(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：271.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5826-251	文件：271.56 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 120(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：271.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5827	文件：92.21 Kbytes Page：10 Pages	Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF wide band amplifier Features • Super compact package: MFPAK (1.4 x 0.8 x 0.59 mm) 文件：92.21 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SC5828	文件：99.79 Kbytes Page：10 Pages	Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF Wide band amplifier Features • Super compact package: MFPAK (1.4 x 0.8 x 0.59 mm) 文件：99.79 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SC5831	文件：32.1 Kbytes Page：4 Pages	Driver Applications Driver Applications Features • High DC current gain. • Wide ASO. • On-chip zener diode of 65±10V between collector and base. • Uniformity in collector-to-base voltage. • Large inductive load handling capability. Applications • Suitable for use in switching of inductive load 文件：32.1 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC5832	文件：43.51 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Driver Applications Features • High DC current gain. • Wide ASO. • On-chip zener diode of 65±10V between collector and base. • Uniformity in collector-to-base voltage. • Large inductive load handling capability. Applications • Suitable for use in switching of inductive load (motor driv 文件：43.51 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC5832	文件：294.9 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 55V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：294.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5832	文件：275.93 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 55V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：275.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5832-251	文件：294.9 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 55V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：294.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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