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2SC5832	文件：43.51 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Driver Applications Features • High DC current gain. • Wide ASO. • On-chip zener diode of 65±10V between collector and base. • Uniformity in collector-to-base voltage. • Large inductive load handling capability. Applications • Suitable for use in switching of inductive load (motor driv 文件：43.51 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC5832	文件：294.9 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 55V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：294.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5832	文件：275.93 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 55V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：275.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5832	文件：300 bytes Page：1 Pages	Darlington Transistors	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5832-251	文件：294.9 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 55V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：294.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5832-252	文件：275.93 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 55V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：275.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
2SC5832
制造商：
SANYO
功能描述：
NPN 55V 2A 1000 TP-FA Tape & Reel
制造商：
SANYO Semiconductor Co Ltd
功能描述：
TRANS DARL NPN 55V 55A TO-251
制造商：
Sanyo
功能描述：
0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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