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2SC5242RTU	文件：461.89 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • High Current Capability: IC= 15A • High Power Dissipation : 130watts • High Frequency : 30MHz. • High Voltage : VCEO=230V • Wide S.O.A for reliable operation. • Excellent Gain Linearity for low THD. • Complement to 2SA1962/FJA42 文件：461.89 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC5242RTU	文件：475.12 Kbytes Page：8 Pages	丝印：C5242R；Package：TO-3P；NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：475.12 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5242RTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 250V 17A TO3P	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5242	文件：122.03 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications 文件：122.03 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5242	文件：150.92 Kbytes Page：2 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED(FOR POWER AMPLIFIER APLLICATIONS) Power Amplifier Applications • High Collector breakdown voltage: VCEO= 230 V (min) • Complementary to 2SA1962 • Suitable fro use in 80-W high fidelity audio amplifier’s output stage 文件：150.92 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5242	文件：174.87 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION · With TO-3P(I) package ·Complement to type 2SA1962 ·High collector voltage: VCEO=230V(Min) APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 80W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：174.87 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

产品属性

产品编号：
2SC5242RTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
55 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
TRANS NPN 250V 17A TO3P

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更多2SC5242R供应商更新时间2025-10-4 10:50:00

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