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2SC5242RTU	文件：461.89 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •HighCurrentCapability:IC=15A •HighPowerDissipation:130watts •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=230V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SA1962/FJA42	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
2SC5242RTU	文件：475.12 Kbytes Page：8 Pages	丝印：C5242R；Package：TO-3P；NPN Epitaxial Silicon Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5242RTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 250V 17A TO3P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5242	文件：122.03 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNTripleDiffusedTypePowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
2SC5242	文件：150.92 Kbytes Page：2 Pages	NPNTRIPLEDIFFUSED(FORPOWERAMPLIFIERAPLLICATIONS) PowerAmplifierApplications •HighCollectorbreakdownvoltage:VCEO=230V(min) •Complementaryto2SA1962 •Suitablefrousein80-Whighfidelityaudioamplifier’soutputstage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
2SC5242	文件：174.87 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3P(I)package ·Complementtotype2SA1962 ·Highcollectorvoltage:VCEO=230V(Min) APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendfor80Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC

产品属性

产品编号：
2SC5242RTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
55 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
TRANS NPN 250V 17A TO3P

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