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2SC5200OTU	文件：238.11 Kbytes Page：7 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •HighCurrentCapability:IC=17A. •HighPowerDissipation:150watts. •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SA1943/FJL4215. •ThermalandelectricalSpicemodelsareav	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5200OTU	文件：205.6 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor 1.HighCurrentCapability:IC=17A. 2.HighPowerDissipation:150watts. 3.HighFrequency:30MHz. 4.HighVoltage:VCEO=250V 5.WideS.O.Aforreliableoperation. 6.ExcellentGainLinearityforlowTHD. 7.Complementto2SA1943/FJL4215.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC5200RTU	文件：205.6 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor 1.HighCurrentCapability:IC=17A. 2.HighPowerDissipation:150watts. 3.HighFrequency:30MHz. 4.HighVoltage:VCEO=250V 5.WideS.O.Aforreliableoperation. 6.ExcellentGainLinearityforlowTHD. 7.Complementto2SA1943/FJL4215.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC5200RTU	文件：238.11 Kbytes Page：7 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •HighCurrentCapability:IC=17A. •HighPowerDissipation:150watts. •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SA1943/FJL4215. •ThermalandelectricalSpicemodelsareav	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC5200其他被动元件供应商更新时间2024-6-17 17:18:00

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