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2SC5200RTU分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SC5200RTU |
| 参数属性 | 2SC5200RTU 封装/外壳为TO-264-3，TO-264AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 250V 17A TO264-3 |
| 功能描述 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TO-264 / TO-264-3，TO-264AA |
| 文件大小 |
238.11 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-1 20:19:00 |
| 人工找货 | 2SC5200RTU价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC5200RTU规格书详情
2SC5200RTU属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的2SC5200RTU晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
特性 Features
• High Current Capability: IC = 17A.
• High Power Dissipation : 150watts.
• High Frequency : 30MHz.
• High Voltage : VCEO=250V
• Wide S.O.A for reliable operation.
• Excellent Gain Linearity for low THD.
• Complement to 2SA1943/FJL4215.
• Thermal and electrical Spice models are available.
• Same transistor is also available in:
-- TO3P package, 2SC5242/FJA4313 : 130 watts
-- TO220 package, FJP5200 : 80 watts
-- TO220F package, FJPF5200 : 50 watts
Applications
• High-Fidelity Audio Output Amplifier
• General Purpose Power Amplifier
产品属性
更多- 产品编号：
2SC5200RTU
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
55 @ 1A，5V
- 频率 - 跃迁：
30MHz
- 工作温度：
-50°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-264-3，TO-264AA
- 供应商器件封装：
TO-264-3
- 描述：
TRANS NPN 250V 17A TO264-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
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TO3 |
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