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2SC5200B-O-AL-N-B	文件：283.18 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplications	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
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2SC5200C-O-AB-N-B	文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNPNTripleDiffusedTransistor	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
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2SC5200N	文件：1.28247 Mbytes Page：4 Pages	150WattSiliconEpitaxialPlanarNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·WithTO-3PN-SQpackage ·Complementtotype2SA1943N APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendedfor100Whighfidelityaudio frequencyamplifieroutputstage	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
2SC5200N	文件：273.15 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC5200-O-AB-N-B	文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNPNTripleDiffusedTransistor	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

产品属性

产品编号：
2SC5200RTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
55 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
-50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装：
TO-264-3
描述：
TRANS NPN 250V 17A TO264-3

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更多2SC5200R供应商更新时间2025-5-24 15:08:00

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