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2SC5200RTU	文件：205.6 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 1. High Current Capability: IC= 17A. 2. High Power Dissipation : 150watts. 3. High Frequency : 30MHz. 4. High Voltage : VCEO=250V 5. Wide S.O.A for reliable operation. 6. Excellent Gain Linearity for low THD. 7. Complement to 2SA1943/FJL4215. 文件：205.6 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC5200RTU	文件：238.11 Kbytes Page：7 Pages	丝印：C5200R；Package：TO-264；NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • High Current Capability: IC = 17A. • High Power Dissipation : 150watts. • High Frequency : 30MHz. • High Voltage : VCEO=250V • Wide S.O.A for reliable operation. • Excellent Gain Linearity for low THD. • Complement to 2SA1943/FJL4215. • Thermal and electrical Spice models are av 文件：238.11 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5200RTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-264-3，TO-264AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 250V 17A TO264-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5200	文件：205.6 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 1. High Current Capability: IC= 17A. 2. High Power Dissipation : 150watts. 3. High Frequency : 30MHz. 4. High Voltage : VCEO=250V 5. Wide S.O.A for reliable operation. 6. Excellent Gain Linearity for low THD. 7. Complement to 2SA1943/FJL4215. 文件：205.6 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC5200	文件：94.02 Kbytes Page：3 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER AMPLIFIER APPLICATIONS FEATURES * Recommended for 100W High Fidelity Audio Frequency Amplifier Output Stage. * Complementary to UTC 2SA1943 文件：94.02 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC5200	文件：292.72 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Current Capability ·High Power Dissipation ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 230V(Min) ·Complement to Type 2SA1943 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：292.72 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

产品属性

产品编号：
2SC5200RTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
55 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
-50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装：
TO-264-3
描述：
TRANS NPN 250V 17A TO264-3

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更多2SC5200R供应商更新时间2025-10-4 15:08:00

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