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2SC5200N	文件：1.28247 Mbytes Page：4 Pages	150 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Power Transistor DESCRIPTION ·WithTO-3PN-SQpackage ·Complementtotype2SA1943N APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendedfor100Whighfidelityaudio frequencyamplifieroutputstage	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
2SC5200N	文件：273.15 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC5200N(S1,E,S)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 230V 15A TO3P	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5200-O-AB-N-B	文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNPNTripleDiffusedTransistor	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SC5200-O-AL-N-B	文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNPNTripleDiffusedTransistor	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SC5200-O-AL-N-D	文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNPNTripleDiffusedTransistor	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SC5200-OQ	文件：173.79 Kbytes Page：3 Pages	poweramplifierapplications POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS •Complementaryto2SA1943 •Recommendedfor100WHighFidelityAudioFrequencyAmplifierOutputStage.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC5200OTU	文件：205.6 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor 1.HighCurrentCapability:IC=17A. 2.HighPowerDissipation:150watts. 3.HighFrequency:30MHz. 4.HighVoltage:VCEO=250V 5.WideS.O.Aforreliableoperation. 6.ExcellentGainLinearityforlowTHD. 7.Complementto2SA1943/FJL4215.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC5200OTU	文件：238.11 Kbytes Page：7 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •HighCurrentCapability:IC=17A. •HighPowerDissipation:150watts. •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SA1943/FJL4215. •ThermalandelectricalSpicemodelsareav	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5200RTU	文件：238.11 Kbytes Page：7 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •HighCurrentCapability:IC=17A. •HighPowerDissipation:150watts. •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SA1943/FJL4215. •ThermalandelectricalSpicemodelsareav	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
2SC5200N
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
TRANSISTOR

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