2SC5200N分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
2SC5200N |
参数属性 | 2SC5200N 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 230V 15A TO3P |
功能描述 | 150 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Power Transistor |
封装外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
文件大小 |
1.28247 Mbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | Thinki Semiconductor Co., Ltd. |
企业简称 |
THINKISEMI【思祁半导体】 |
中文名称 | 思祁半导体有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-21 23:00:00 |
人工找货 | 2SC5200N价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC5200N规格书详情
DESCRIPTION
·With TO-3PN-SQ package
·Complement to type 2SA1943N
APPLICATIONS
·Power amplifier applications
·Recommended for 100W high fidelity audio
frequency amplifier output stage
产品属性
- 产品编号:
2SC5200N(S1,E,S)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
3V @ 800mA,8A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
5µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 1A,5V
- 频率 - 跃迁:
30MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商器件封装:
TO-3P(N)
- 描述:
TRANS NPN 230V 15A TO3P
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO-3P-3 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TO-3P-3 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TO-3P-3 |
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TOSHIBA |
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TO-3P(N) |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
21+ |
TO-3P-3 |
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