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2SC1623	文件：107.26 Kbytes Page：2 Pages	High DC current gain hFE 200(Typ)VCE 6V, IC 1mA FEATURES High DC current gain :hFE=200(Typ)VCE=6V, IC=1mA High voltage:VCEO=50V 文件：107.26 Kbytes 页数：2 Pages	MAKOSEMI 美科半导体	MAKOSEMI
2SC1623	文件：1.545 Mbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. Features High hFE and VCEO, complementary pair with 2SA812. Applications Audio frequency general amplifier application. 文件：1.545 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC1623	文件：2.34324 Mbytes Page：4 Pages	丝印：L4；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High DC current gain:hFE=200TYP (VCE=6.0V,IC=1.0mA) ● High Voltage:VCEO=50V APPLICATIONS ● NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor ● Audio frequency general purpose amplifier. 文件：2.34324 Mbytes 页数：4 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC1623	文件：577.82 Kbytes Page：3 Pages	NPN Transistors Features ● High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. VCE = 6.0 V, IC = 1.0 mA ● High Voltage: VCE O = 50 V 文件：577.82 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SC1623	文件：190.94 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High DC current gain :hFE=200(Typ)VCE=6V, IC=1mA High voltage:VCEO=50V 文件：190.94 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
2SC1623	文件：2.39104 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR( NPN ) Features ● High DC current gain :hFE=200(Typ) VCE=6V,IC=1mA ● High voltage:VCEO=50V 文件：2.39104 Mbytes 页数：4 Pages	HDSEMI 海德半导体	HDSEMI
2SC1623	文件：557.06 Kbytes Page：3 Pages	丝印：L4；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES * High DC current gain :hFE=200(Typ) VCE=6V,IC=1mA * High voltage:VCEO=50V 文件：557.06 Kbytes 页数：3 Pages	UMW 友台半导体	UMW
2SC1623	文件：67.21 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 200 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM: 100 mA Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：67.21 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SC1623A	文件：301.03 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES • High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = 6.0 V, IC = 1.0 mA) • High Voltage: VCEO = 50 V SILICON TRANSISTOR 文件：301.03 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC1623F	文件：152.4 Kbytes Page：2 Pages	NPN Epitaxial Planar Transistor DESCRIPTION The 2SC1623F is designed for use driver stage of AF amplifier and general purpose application. 文件：152.4 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

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晶体管资料

型号：
2SC1653
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_开关管（S）_数码驱动（Nix）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF822,BFN24,2SC3143,2SC3360,3DG170D,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
150
htest：
120000000
atest：
0.05
wtest：
0

技术参数

NPN/PNP：
NPN
VCEO (V)：
130
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
0.05
VCE(sat) (V) max.：
0.3
hFE min.：
90
hFE max.：
400
Pc (W)：
0.15
fT (GHz) typ.：
0.12
fT (MHz) typ.：
120
Cob (pF) typ.：
2.3
Package Type：
3pinMM
Production Status：
EOL

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更多2SC16供应商更新时间2025-12-25 17:08:00

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