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2SC1627A	文件：64.54 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURE Power dissipation PCM: 0.8 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.4 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 80 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃to +150℃ 文件：64.54 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SC1628	文件：145.54 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR (PCT PROCESS) 文件：145.54 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC1628-O	文件：145.54 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR (PCT PROCESS) 文件：145.54 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC1628-Y	文件：145.54 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR (PCT PROCESS) 文件：145.54 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC1645	文件：99.86 Kbytes Page：1 Pages	2SC1545M Silicon NPN Darlington Transistor 文件：99.86 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC1645S	文件：72.34 Kbytes Page：4 Pages	High-gain Amplifier Transistor (32V, 0.3A) Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in 4kΩ resistor between base and emitter. 3) Complements the 2SB852K. 文件：72.34 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC164S	文件：441.19 Kbytes Page：8 Pages	Application Specific Multichip Circuit Features  Silicon NPN epitaxial type  Includes one NPN Transistor(Q1) and one NPN Base Accessible Pre-biased Transistor(Q2)  Through reductions in component count and footprint  Lead free in compliance with EU RoHS2.0 (2011/65/EU & 2015/865/EU directive)  Green molding compound as per 文件：441.19 Kbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2SC164S_R1_00001	文件：441.19 Kbytes Page：8 Pages	丝印：C4S；Package：SOT-23-6L；Application Specific Multichip Circuit Features  Silicon NPN epitaxial type  Includes one NPN Transistor(Q1) and one NPN Base Accessible Pre-biased Transistor(Q2)  Through reductions in component count and footprint  Lead free in compliance with EU RoHS2.0 (2011/65/EU & 2015/865/EU directive)  Green molding compound as per 文件：441.19 Kbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2SC164S_R2_00001	文件：441.19 Kbytes Page：8 Pages	丝印：C4S；Package：SOT-23-6L；Application Specific Multichip Circuit Features  Silicon NPN epitaxial type  Includes one NPN Transistor(Q1) and one NPN Base Accessible Pre-biased Transistor(Q2)  Through reductions in component count and footprint  Lead free in compliance with EU RoHS2.0 (2011/65/EU & 2015/865/EU directive)  Green molding compound as per 文件：441.19 Kbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2SC1651S	文件：67.34 Kbytes Page：3 Pages	HIGH VOLTAGE AMPLIFIER TRANSISTOR High-voltage Amplifier Transistor (−210V, −30mA) Features 1) High breakdown voltage, (VCER= −210V ) 2) Complements the 2SC1651S. 文件：67.34 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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晶体管资料

型号：
2SC1653
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_开关管（S）_数码驱动（Nix）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF822,BFN24,2SC3143,2SC3360,3DG170D,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
150
htest：
120000000
atest：
0.05
wtest：
0

技术参数

NPN/PNP：
NPN
VCEO (V)：
130
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
0.05
VCE(sat) (V) max.：
0.3
hFE min.：
90
hFE max.：
400
Pc (W)：
0.15
fT (GHz) typ.：
0.12
fT (MHz) typ.：
120
Cob (pF) typ.：
2.3
Package Type：
3pinMM
Production Status：
EOL

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更多2SC16供应商更新时间2025-12-25 17:08:00

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