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2SB861	文件：1.39602 Mbytes Page：4 Pages	丝印：2SB861；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Frequency Power Amplifier Color TV Vertical Deflection Output 文件：1.39602 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SB861	文件：1.39602 Mbytes Page：4 Pages	丝印：2SB861；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Frequency Power Amplifier Color TV Vertical Deflection Output 文件：1.39602 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SB861	文件：192.18 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Complement to type 2SD1138 APPLICATIONS • Low frequency power amplifier color TV vertical deflection output 文件：192.18 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB861	文件：130.56 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Complement to type 2SD1138 APPLICATIONS • Low frequency power amplifier color TV vertical deflection output 文件：130.56 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB861	文件：162.96 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Complement to type 2SD1138 APPLICATIONS • Low frequency power amplifier color TV vertical deflection output 文件：162.96 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB861	文件：1.20641 Mbytes Page：3 Pages	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low Frequency Power Amplifier Color TV Vertical Deflection Output 文件：1.20641 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SB861	文件：31.7 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Triple Diffused Application Low frequency power amplifier color TV vertical deflection output complementary pair with 2SD1138 文件：31.7 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SB861	文件：144.81 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Triple Diffused 文件：144.81 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SB861	文件：132.23 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：132.23 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB861	文件：76.51 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：76.51 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2SB861
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD240F,2SA1133,2SB567,2SB568,2SB630,2SB720,3CF30E,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
200
htest：
999900
atest：
2
wtest：
30

详细参数

型号：
2SB861
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
TRANSISTOR
制造商：
Hitachi
功能描述：
Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-220AB

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